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H系列管芯產(chǎn)品

產(chǎn)品型號(hào) 單指柵寬 (μm) 總柵寬 (mm) 尺寸X (μm) 尺寸Y (μm) 典型功率 (W) 效率@2.6GHz 48V (%) 增益@2.6GHz 48V (dB) Download
D2H025DB1 205 2.46 685 1035 25 82 22.7
D2H025DA1 315 2.52 645 825 25 82 21.9
D2H014DA1 350 1.40 695 568 14 83 22.9
D2H010DA1 250 1.00 685 570 10 83 23.7
注：
1. 效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)。

D2H025DB1

Brief description for the product

D2H025DB1

D2H025DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)值單位
產(chǎn)品尺寸685*1035mm
應(yīng)用電壓48V
典型功率25W
效率
82%
增益22.7dB











效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 74 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H025DA1

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D2H025DA1

D2H025DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)值單位
產(chǎn)品尺寸645*825mm
應(yīng)用電壓48V
典型功率25W
效率
82%
增益21.9dB











效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 76 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H014DA1

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D2H014DA1

D2H014DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)值單位
產(chǎn)品尺寸695*568mm
應(yīng)用電壓48V
典型功率14W
效率
83%
增益22.9Db











效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 42 mA, 頻率 = 2.6 GHz


D2H010DA1

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D2H010DA1

D2H010DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點(diǎn)，是各種射頻和微波應(yīng)用的理想選擇。

Operating Characteristics

參數(shù)值單位
產(chǎn)品尺寸685*570mm
應(yīng)用電壓48V
典型功率10W
效率
83%
增益23.7Db











效率和增益指標(biāo)為對(duì)應(yīng)2.6GHz測試頻點(diǎn)、最大效率點(diǎn)下的仿真數(shù)據(jù)

仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 30 mA, 頻率 = 2.6 GHz